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2N4918G Spécifications techniques
TRANS PNP 40V 1A TO225AA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 30W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 500mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 3MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
2N4918G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N4910 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2632 |
2N4911 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 0 |
2N4911 | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N4913 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 80660 |
2N4913. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 58660 |
2N4914 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 81155 |
2N4914 | MOT | Circuits intégrés spécialisés | 81155 |
2N4914. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 58660 |
2N4915. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 58660 |
2N4916 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2664 |
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