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2N5306 Spécifications techniques
TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 25V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Base Part Number | 2N5306 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
2N5306 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5301 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2646 |
2N5301 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2730 |
2N5301 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistors BJT simples | |
2N5302 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 0 |
2N5302 | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N5302G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2549 |
2N5302G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N5303 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2534 |
2N5303 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2664 |
2N5303 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistors BJT simples |
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