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2N5551G Spécifications techniques

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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2N5551G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, 2N5551G prix de référence. 2N5551G paramètres, 2N5551G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2N5551G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2N5551G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2N5551G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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