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2N6427G Spécifications techniques
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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2N6426 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 51828 |
2N6426 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 51828 |
2N6426 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N6426G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2788 |
2N6426G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2N6426G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
2N6426RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2696 |
2N6426RLRA | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
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