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2SJ665-DL-1EX
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2SJ665-DL-1EX Spécifications techniques
MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device Package | TO-263-2 |
Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 14A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TA) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 20V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
2SJ665-DL-1EX Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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