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2SK3820-DL-1E
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2SK3820-DL-1E Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 26A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device Package | TO-263-2 |
Power Dissipation (Max) | 1.65W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
2SK3820-DL-1E Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2SK3800 | Sanken Electric Co., Ltd. | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2682 |
2SK3800VL | Sanken Electric Co., Ltd. | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2524 |
2SK3800VL-RP | RENESAS | Circuits intégrés spécialisés | 2736 |
2SK3800VR | Sanken Electric Co., Ltd. | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2712 |
2SK3801 | Sanken Electric Co., Ltd. | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2510 |
2SK3804-01S | FUJI | Circuits intégrés spécialisés | 691 |
2SK381-T11-D | MITSUBI | Circuits intégrés spécialisés | 86862 |
2SK381-T11-E | MITSUBI | Circuits intégrés spécialisés | 37493 |
2SK3811-ZP-E1-AY | Renesas Electronics America | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2614 |
2SK3812 | NEC | Circuits intégrés spécialisés | 5356 |
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