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ECH8602M-TL-H
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ECH8602M-TL-H Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-ECH |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
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