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EMF5XV6T5G
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EMF5XV6T5G Spécifications techniques
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
EMF5XV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 4333 |
EMF5XV6T5 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
EMF5XV6T5 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
EMF5XV6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT |
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