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FCH041N65F-F085
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FCH041N65F-F085 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
Power Dissipation (Max) | 595W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13566pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-247 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | FCH041N65F_F085 FCH041N65F_F085-ND |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 304nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
FCH041N65F-F085 Documents
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