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FCH041N65F-F155 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FRFET®, SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 595W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13020pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 38A, 10V
Packaging Tube
Other Names FCH041N65F_F155 FCH041N65F_F155-ND FCH041N65FF155
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 294nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
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