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FCI25N60N-F102
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FCI25N60N-F102 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SupreMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 216W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3352pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 12.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | FCI25N60N_F102 FCI25N60N_F102-ND |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
FCI25N60N-F102 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FCI25N60N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 611 |
FCI25N60N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2881 |
FCI25N60N IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 689 |
FCI25N60N-F102 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FCI25N60N_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2583 |
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