FCP125N65S3R0 Spécifications techniques

SUPERFET3 650V TO220 PKG

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® III
Power Dissipation (Max) 181W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1940pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Other Names FCP125N65S3R0-ND FCP125N65S3R0OS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status Lead free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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