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FDB3860 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 71W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1740pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 5.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | FDB3860TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta), 30A (Tc) |
FDB3860 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDB3860 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 13542 |
FDB38N30U | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 29092 |
FDB38N30U | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 29092 |
FDB38N30U | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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