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FDB52N20TM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET™ |
Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 26A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | FDB52N20TMCT |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 27 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 200V 52A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D²PAK |
FDB52N20TM Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDB52N10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 399 |
FDB52N20 | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 29472 |
FDB52N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3729 |
FDB52N20TM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDB52N20TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 512 |
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