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FDD4N60NZ Spécifications techniques

MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET-II™
Power Dissipation (Max) 114W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDD4N60NZ-ND FDD4N60NZTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK
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FDD4N60NZ fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FDD4N60NZ prix de référence. FDD4N60NZ paramètres, FDD4N60NZ Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FDD4N60NZ Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FDD4N60NZ schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FDD4N60NZ tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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