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FDFMA3N109 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDFMA3N109CT FDFMA3N109CT-ND FDFMA3N109FSCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
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