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FDMD85100 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 100V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 2.2W
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-Power 5x6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDMD85100TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 50V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.4A
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FDMD82100L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2795
FDMD82100L Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2769
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FDMD8240L ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
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