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FDMS4D0N12C Spécifications techniques

PTNG 120V N-FET PQFN56

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 370A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status Lead free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 67A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDMS4D0N12C-ND FDMS4D0N12COSTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6460pF @ 60V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 120V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
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FDMS4D0N12C fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FDMS4D0N12C prix de référence. FDMS4D0N12C paramètres, FDMS4D0N12C Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FDMS4D0N12C Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FDMS4D0N12C schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FDMS4D0N12C tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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