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FDN338P_G Spécifications techniques

INTEGRATED CIRCUIT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 451pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
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FDN338P_G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FDN338P_G prix de référence. FDN338P_G paramètres, FDN338P_G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FDN338P_G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FDN338P_G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FDN338P_G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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