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FDN358P Spécifications techniques

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDN358PCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 182pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
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FDN358P fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FDN358P prix de référence. FDN358P paramètres, FDN358P Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FDN358P Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FDN358P schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FDN358P tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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