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FDS6675BZ Spécifications techniques

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDS6675BZCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 26 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Base Part Number FDS6675
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FDS6675BZ fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FDS6675BZ prix de référence. FDS6675BZ paramètres, FDS6675BZ Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FDS6675BZ Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FDS6675BZ schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FDS6675BZ tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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