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FDU7N60NZTU
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FDU7N60NZTU Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET-II™ |
Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | I-PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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FDU7N20TM | VB | Circuits intégrés spécialisés | 1000 |
FDU7N60NZ | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 594 |
FDU7N60NZTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1285 |
FDU7N60NZTU | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
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