FDV302P-NB8V001 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDV302P-NB8V001CT FDV302P_NB8V001CT FDV302P_NB8V001CT-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -8V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
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