FDZ191P_P Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 6-WLCSP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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