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FGA40N65SMD Spécifications techniques

IGBT 650V 80A 349W TO3P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 820µJ (on), 260µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
Packaging Tube
Other Names FGA40N65SMD-ND FGA40N65SMDFS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Field Stop
Detailed Description IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/92ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 349W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 119nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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