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FGA50S110P Spécifications techniques
IGBT 1100V 50A 300W TO3PN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1100V |
Test Condition | - |
Switching Energy | - |
Power - Max | 300W |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Detailed Description | IGBT Trench Field Stop 1100V 50A 300W Through Hole TO-3PN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 50A |
Td (on/off) @ 25°C | - |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 195nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
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-
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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FGA50N100BNTD2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBT - Simple | 7842 |
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