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FGA6530WDF Spécifications techniques

IGBT 650V 60A 176W TO3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 960µJ (on), 162µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 81ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 37.4nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/42.4ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 176W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 60A 176W Through Hole TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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