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FJN3312RBU Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Packaging Bulk
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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FJN3312RBU fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FJN3312RBU prix de référence. FJN3312RBU paramètres, FJN3312RBU Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FJN3312RBU Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FJN3312RBU schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FJN3312RBU tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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