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FJN3312RTA
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FJN3312RTA Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | 250MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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