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FJN3313RTA Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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FJN3313RTA fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FJN3313RTA prix de référence. FJN3313RTA paramètres, FJN3313RTA Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FJN3313RTA Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FJN3313RTA schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FJN3313RTA tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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