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FQB9N08LTM Spécifications techniques

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 4.65A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 80V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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FQB9N08LTM fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FQB9N08LTM prix de référence. FQB9N08LTM paramètres, FQB9N08LTM Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FQB9N08LTM Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FQB9N08LTM schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FQB9N08LTM tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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