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FQD8P10TM Spécifications techniques

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 3.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQD8P10TM-ND FQD8P10TMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 25 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
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