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FQPF6N80 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F
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FQPF6N80 fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FQPF6N80 prix de référence. FQPF6N80 paramètres, FQPF6N80 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FQPF6N80 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FQPF6N80 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FQPF6N80 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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