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FQU10N20TU Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Through Hole I-PAK
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FQU10N20TU fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, FQU10N20TU prix de référence. FQU10N20TU paramètres, FQU10N20TU Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FQU10N20TU Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FQU10N20TU schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FQU10N20TU tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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