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HGT1S10N120BNS Spécifications techniques

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 320µJ (on), 800µJ (off)
Power - Max 298W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Base Part Number HGT1S10N120
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Other Names HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
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HGT1S10N120BNS fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, HGT1S10N120BNS prix de référence. HGT1S10N120BNS paramètres, HGT1S10N120BNS Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HGT1S10N120BNS Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HGT1S10N120BNS schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HGT1S10N120BNS tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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