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HGTP12N60C3D Spécifications techniques

IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition -
Switching Energy 380µJ (on), 900µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 48nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 96A
Base Part Number HGTP12N60
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-220AB
Power - Max 104W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 24A
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HGTP12N60C3D fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, HGTP12N60C3D prix de référence. HGTP12N60C3D paramètres, HGTP12N60C3D Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HGTP12N60C3D Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HGTP12N60C3D schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HGTP12N60C3D tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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