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HGTP2N120CN Spécifications techniques

IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Switching Energy 96µJ (on), 355µJ (off)
Power - Max 104W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 13A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 30nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A
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