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HGTP5N120BND Spécifications techniques

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 65ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 53nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/160ns
Supplier Device Package TO-220AB
Power - Max 167W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 21A
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HGTP5N120BND fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, HGTP5N120BND prix de référence. HGTP5N120BND paramètres, HGTP5N120BND Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HGTP5N120BND Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HGTP5N120BND schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HGTP5N120BND tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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