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HUF75639G3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 56A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 56A, 10V
Packaging Tube
Other Names HUF75639G3-ND HUF75639G3FS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
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HUF75639G3 fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, HUF75639G3 prix de référence. HUF75639G3 paramètres, HUF75639G3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le HUF75639G3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver HUF75639G3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, HUF75639G3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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