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KSB1017YTU
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KSB1017YTU Spécifications techniques
TRANS PNP 80V 4A TO-220F
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 25W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 6 Weeks |
Frequency - Transition | 9MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 300mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220F |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 9MHz 25W Through Hole TO-220F |
Current - Collector Cutoff (Max) | 30µA (ICBO) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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KSB1015-YTU | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 2523 |
KSB1015. | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 58660 |
KSB1015O | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 0 |
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KSB1015OTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 0 |
KSB1015Y | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2680 |
KSB1015Y | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2726 |
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