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MJD112G Spécifications techniques

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 25MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
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MJD112G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, MJD112G prix de référence. MJD112G paramètres, MJD112G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MJD112G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MJD112G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MJD112G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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