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MJD117-1G Spécifications techniques

TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Supplier Device Package I-Pak
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 25MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
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MJD117-1G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, MJD117-1G prix de référence. MJD117-1G paramètres, MJD117-1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MJD117-1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MJD117-1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MJD117-1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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