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MJE3055TG
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MJE3055TG Spécifications techniques
TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 75W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 2MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
MJE3055TG Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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MJE3055 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 3355 |
MJE3055T | STMicroelectronics | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 5209 |
MJE3055T | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 25858 |
MJE3055T | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MJE3055T IC | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 2408 |
MJE3055TG | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MJE3055TL | UTC | Circuits intégrés spécialisés | 2257 |
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