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MJE802G Spécifications techniques
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 40W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MJE800 | MOT | Circuits intégrés spécialisés | 2706 |
MJE800 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
MJE8006 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 6 |
MJE800G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2094 |
MJE800G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MJE800STU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2924 |
MJE800STU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 5316 |
MJE800STU | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MJE801STU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2532 |
MJE801STU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2563 |
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