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MMDF3N02HDR2G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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MMDF3N02HDR2G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, MMDF3N02HDR2G prix de référence. MMDF3N02HDR2G paramètres, MMDF3N02HDR2G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MMDF3N02HDR2G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MMDF3N02HDR2G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MMDF3N02HDR2G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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