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MMUN2215LT1
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MMUN2215LT1 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 246mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MMUN2111 | N/A | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
MMUN2111LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 1397 |
MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MMUN2111LT1 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
MMUN2111LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 5340 |
MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MMUN2111LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 7669 |
MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MMUN2111RLT1 | LRC | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
MMUN2111RLT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 4270 |
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