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MTD6P10E Spécifications techniques
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Power Dissipation (Max) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
MTD6P10E Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MTD6P10E MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4889 |
MTD6P10ET4 | O | Circuits intégrés spécialisés | 13696 |
MTD6P10ET4 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 6135 |
MTD6P10ET4G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
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