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MUN2211JT1G Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 230mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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MUN2211JT1G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, MUN2211JT1G prix de référence. MUN2211JT1G paramètres, MUN2211JT1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MUN2211JT1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MUN2211JT1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MUN2211JT1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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