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MUN5131DW1T1G
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MUN5131DW1T1G Spécifications techniques
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN5131DW1T1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MUN5111DW1T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 4000 |
MUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 139500 |
MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
MUN5111DWT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2575 |
MUN5111LT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
MUN5111T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2478 |
MUN5111T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 9700 |
MUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN5111T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 521 |
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