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MUN5138T1G
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MUN5138T1G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 202MW
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 202mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN5138T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MUN5111DW1T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 4000 |
MUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 139500 |
MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
MUN5111DWT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2575 |
MUN5111LT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
MUN5111T1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2478 |
MUN5111T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
MUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 9700 |
MUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
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